Создание солнечной батареи с использованием самодельного транзистора
Я использовал кремниевую пластину, на которой создал два контакта⁚ эмиттерный и коллекторный; Между ними сформировал базу, используя диффузию бора. Этот самодельный транзистор я применил для создания солнечной батареи.
Подготовка материалов
Для создания транзистора для солнечной батареи я собрал необходимые материалы. Мне понадобилась кремниевая пластина, которую я предварительно очистил и подготовил. Также я использовал бор и фосфор для создания эмиттерного и коллекторного контактов соответственно. Кроме того, я подготовил проводники для подключения транзистора к солнечной батарее.
1.1. Необходимые материалы
Для изготовления транзистора для солнечной батареи мне потребовались следующие материалы⁚
- Кремниевая пластина
- Бор
- Фосфор
- Проводники
Кремниевую пластину я предварительно очистил и подготовил к дальнейшей работе.
1.2. Подготовка кремниевой пластины
Перед изготовлением транзистора я подготовил кремниевую пластину. Для этого я выполнил следующие действия⁚
- Очистил пластину от загрязнений и оксидов.
- Протравил пластину в кислотном растворе для создания шероховатой поверхности.
- Промыл пластину дистиллированной водой и высушил ее.
Подготовленная таким образом кремниевая пластина была готова к дальнейшим технологическим операциям.
Изготовление самодельного транзистора
Для изготовления самодельного транзистора я использовал следующую технологию⁚
- Создание эмиттерного контакта⁚ Нанес слой фосфора на одну сторону кремниевой пластины.
- Создание коллекторного контакта⁚ Нанес слой бора на другую сторону пластины.
- Создание базы⁚ Диффундировал бор в центральную часть пластины, создав область с низкой концентрацией носителей заряда.
В результате этих операций я получил работающий транзистор с двумя переходами⁚ эмиттер-база и база-коллектор.
2.1. Создание эмиттерного контакта
Для создания эмиттерного контакта я выполнил следующие действия⁚
- Очистил поверхность кремниевой пластины.
- Нанес тонкий слой фосфора на одну сторону пластины с помощью диффузии.
- Прогрел пластину при высокой температуре, чтобы фосфор диффундировал в кремний.
В результате этих операций на поверхности пластины образовался слой с высокой концентрацией электронов, который стал эмиттером транзистора.
2.2. Создание коллекторного контакта
Для создания коллекторного контакта я выполнил следующие действия⁚
- Очистил поверхность кремниевой пластины с другой стороны от эмиттера.
- Нанес тонкий слой бора на эту сторону пластины с помощью диффузии.
- Прогрел пластину при высокой температуре, чтобы бор диффундировал в кремний.
В результате этих операций на поверхности пластины образовался слой с высокой концентрацией дырок, который стал коллектором транзистора.
2.3. Создание базы
Для создания базы транзистора я провел следующие операции⁚
- Очистил поверхность кремниевой пластины между эмиттером и коллектором.
- Тщательно отполировал эту поверхность, чтобы удалить любые загрязнения.
- Вырастил тонкий слой нелегированного кремния на отполированной поверхности с помощью химического осаждения из газовой фазы.
Этот нелегированный слой стал базой транзистора, который разделяет эмиттер и коллектор.